Чому pn перехід називають шаром збідненим рухомими носіями заряду?

Напівпровідниковим p-n-переходом називають тонкий шар, що утворюється в місці контакту двох ділянок напівпровідників акцепторного і донорного типів (див. мал. 4.21).

Властивості р-п-переходу Утворюється замикаючий шар, утворений зарядами іонів домішки: d = 10-7 м, Dj = 0.4-0,8 В. 2. Напрямок зовнішнього поля (джерела) збігається з напрямком контактного поля. Струму основних носіїв заряду немає.

Якщо між двома такими напівпровідниками встановити контакт, то виникне дифузійний струм – основні носії заряду (електрони і дірки) хаотично перетікають з тієї області, де їх більше, в ту область, де їх менше, і рекомбінують один з одним.